Особенности метода электронной микроскопии

Когда-то давно метод электронной микроскопии учёные применяли исключительно для исследования материалов биологического характера. Для расшифровки полученных изображений приходилось использовать специальный контраст. За счёт способа получения отпечатков, которые снимаются с поверхности и обрамляются металлами, появились новые пути для продвижения. Уже немного позже учёные начали исследовать неживые предметы, это могли быть различные изломы и кристаллические сколы.

Через некоторое время учёные пытались обследовать тончайшие фольгированные элементы на просвет. После этого был сделан вывод, что электронная микроскопия больше всего подходит для исследования параметров кристаллических объектов, которые отличаются сложным составом.

Данная методика изучения подразделяется на три разновидности.

Методы просвечивающей электронной микроскопии

Это самый простой и самый используемый вид данного метода. Чаще всего его используют для исследования структурных отклонений кристаллов. С его помощью можно получить сведения, касающиеся изъянов в матрице, а также структурные нюансы и точные параметры объекта. Для проведения исследования могут применяться реплики или фольги, поскольку эти материалы обладают отличным просветом, необходимым для электронов.

Реплика – это тонкая плёнка вещества исследуемого объекта, на ней оттискается микрорельеф поверхности. Из такой реплики можно получить сведения, касающиеся структуры поверхности рассматриваемого объекта.

Фольги – это очень тонкая плёнка, для приготовления которой используются массивные образцы. Этот образец подготавливается и истончается, после чего отправляется в микроскоп.

Особенности растровой электронной микроскопии

Этот метод по-другому называется метод сканирующей электронной микроскопии. В данном случае растровая развертка луча действует на поверхность рассматриваемого материала. В результате этого воздействия образуются обратные сигналы, после чего формируется изображение исследуемого объекта.

Основное преимущество объекта заключается в возможности осуществлять исследование объекта без заблаговременной подготовки поверхности, как это делается в предыдущем методе, при этом не имеет значения, какую толщину имеет образец.

Данная методика чаще всего применяется для изучения электрически активных дефектов, рельефа поверхности и для изучения атомарного состава объекта.